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Présentation du produit

Le circuit intégré IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR est une mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.), conçue pour les applications embarquées, industrielles, automobiles et IoT exigeantes. Grâce à son organisation mémoire de 64 Ko x 16 et à son temps d'accès ultrarapide de 10 ns, ce composant assure un stockage de données fiable et à faible latence pour les systèmes critiques.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances ultra-rapides : un temps d’accès et un temps de cycle d’écriture de 10 ns garantissent une récupération et un stockage rapides des données.
  • Alimentation flexible : sa large plage de tension (2,4 V à 3,6 V) prend en charge diverses architectures système.
  • Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
  • Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 48 TFBGA (6 x 8) optimise l’espace sur la carte.
  • Interface parallèle : Intégration simple avec les microprocesseurs et les contrôleurs
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement
  • Conditionnement en bande et bobine : prêt pour les processus d’assemblage automatisés

Applications typiques

Ce circuit intégré SRAM est idéal pour les systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable, notamment les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements réseau, les dispositifs médicaux et les plateformes de calcul en périphérie de réseau (IoT). Son architecture asynchrone simplifie la gestion du temps tout en garantissant des performances constantes, même dans des conditions de températures extrêmes.

Garantie de qualité et d'approvisionnement

Chez HQICKEY , nous garantissons un approvisionnement authentique et un suivi tout au long du cycle de vie de tous les composants semi-conducteurs. Chaque unité IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR est vérifiée et bénéficie du soutien de notre équipe d'assistance technique.

Explorez davantage de solutions

Découvrez notre gamme complète de circuits intégrés mémoire pour trouver d'autres solutions de mémoire SRAM, DRAM, Flash et spécialisées. Consultez notre blog d'actualités pour rester informé des dernières tendances et nouveautés produits.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 2,4 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY