ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416EEBLL-8TLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.53 | Dhs. 7.53 |
| 15+ | Dhs. 7.30 | Dhs. 109.50 |
| 25+ | Dhs. 7.15 | Dhs. 178.75 |
| 50+ | Dhs. 6.75 | Dhs. 337.50 |
| 100+ | Dhs. 5.96 | Dhs. 596.00 |
| N+ | Dhs. 1.19 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 8ns |
| Temps d'accès | 8 ns |
| Tension - Alimentation | 2,4 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
IS61WV6416EEBLL-8TLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
Le circuit intégré IS61WV6416EEBLL-8TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone haute vitesse de 1 Mbit conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès ultrarapide de 8 ns et une organisation de 64 K x 16, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 8 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
- Organisation mémoire flexible : configuration 64 Ko x 16 optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
- Large plage de tension de fonctionnement : de 2,4 V à 3,6 V, compatible avec les conceptions 3,3 V et basse consommation.
- Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Interface parallèle : interface parallèle asynchrone standard pour une intégration facile
- Boîtier CMS : boîtier 44-TSOP II pour un assemblage automatisé et une optimisation de l’espace.
- Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
Applications idéales
Cette mémoire SRAM est idéale pour les contrôleurs embarqués, les systèmes d'automatisation industrielle, les équipements de réseau, les infrastructures de télécommunications, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant un stockage de données temporaire à haute vitesse avec une disponibilité à long terme garantie.
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Spécifications techniques
Ressources connexes
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