ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C1024AL-35QI-TR

IS62C1024AL-35QI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

Le circuit intégré IS62C1024AL-35QI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone haut de gamme de 1 Mbit conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Ce composant de mémoire volatile haute fiabilité présente une architecture 128 Ko x 8 avec interface parallèle, offrant un temps d'accès rapide de 35 ns et des performances robustes sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 35 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation de la mémoire flexible : configuration 128 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
• Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité avec les systèmes 5 V standard.
• Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TA) en environnements difficiles
• Boîtier compact pour montage en surface : 32-SOIC (largeur de 11,30 mm) pour des circuits imprimés compacts.
• Fonctionnement asynchrone : aucune horloge n’est requise, ce qui simplifie la conception du système et réduit la consommation d’énergie.
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache, les équipements de réseau, l'électronique automobile et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une longue durée de vie.

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Spécifications techniques complètes

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