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Puce mémoire SRAM haute performance IS62C5128EL-45QLI-TR

La puce mémoire SRAM asynchrone IS62C5128EL-45QLI-TR de 4 Mbits, haute fiabilité, est fabriquée par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc). Dotée d'une architecture mémoire 512 Ko x 8 et d'un temps d'accès ultrarapide de 45 ns, cette SRAM à montage en surface offre des performances exceptionnelles pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications.

Conçue pour les environnements exigeants, cette puce mémoire fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C, ce qui la rend idéale pour les applications industrielles et automobiles où la stabilité thermique est primordiale. Son interface parallèle et sa tension d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V garantissent une intégration parfaite avec les architectures système anciennes et modernes.

Applications et cas d'utilisation

Cette puce mémoire SRAM excelle dans les applications exigeant un stockage et une récupération de données rapides et fiables, sans cycles de rafraîchissement. Elle est couramment utilisée dans les systèmes embarqués, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements réseau, les calculateurs automobiles, les équipements de diagnostic médical et les systèmes avioniques aérospatiaux. Sa conception conforme à la directive RoHS garantit le respect des normes environnementales pour les marchés internationaux.

Le boîtier CMS 32-SOIC facilite les processus d'assemblage automatisés tout en garantissant des performances électriques robustes. Grâce à sa fiabilité éprouvée et à sa large plage de températures de fonctionnement, le composant IS62C5128EL-45QLI-TR est le choix de confiance des ingénieurs concevant les systèmes haute fiabilité de nouvelle génération.

Ressources connexes :

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 45 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-SOIC (0,445", largeur 11,30 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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