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IS62C5128EL-45TLI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

Le circuit intégré IS62C5128EL-45TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des infrastructures de télécommunications. Cette mémoire volatile offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 45 ns et fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures industrielles.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 45 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
  • Organisation de la mémoire flexible : configuration 512 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
  • Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
  • Interface parallèle : Interface de mémoire parallèle standard pour une intégration transparente avec les systèmes anciens et modernes
  • Boîtier compact pour montage en surface : 32-TFSOP (largeur de 11,80 mm) pour les circuits imprimés à espace restreint.
  • Large plage de tension : tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité avec les systèmes 5 V standard.

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SRAM est idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données rapide et fiable, notamment les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements de diagnostic médical, l'avionique aérospatiale, les calculateurs automobiles, les routeurs réseau et les stations de base de télécommunications. Son architecture asynchrone élimine la complexité de la synchronisation d'horloge tout en maintenant un accès aux données à haut débit.

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Produits et ressources connexes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement En vrac |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 45 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-TFSOP (0,465", largeur 11,80 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-sTSOP I
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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