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IS62WV10248EBLL-45BLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 8 Mbit

La puce IS62WV10248EBLL-45BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 8 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré mémoire présente une architecture 1M x 8 et un temps d'accès rapide de 45 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un accès rapide aux données et une disponibilité à long terme.

Caractéristiques principales :

  • Capacité mémoire : 8 Mbit (organisation 1M x 8)
  • Temps d'accès rapide : 45 ns pour une récupération rapide des données
  • Large plage de tension de fonctionnement : de 2,2 V à 3,6 V pour une intégration système flexible.
  • Plage de températures étendue : -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements difficiles
  • Boîtier compact : montage en surface 48-VFBGA (6x8) pour les conceptions à espace restreint
  • Conforme à la norme RoHS : respectueux de l’environnement et conforme à la réglementation.
  • Interface parallèle : interface mémoire standard pour une intégration facile
  • Conditionnement en bande et bobine : prêt pour les processus d’assemblage automatisés

Applications :

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux équipements réseau, aux contrôleurs industriels, aux dispositifs médicaux, à l'électronique automobile et à toute application exigeant une fiabilité comparable à celle des mémoires non volatiles, combinée à la rapidité des mémoires volatiles. Sa conception asynchrone simplifie la gestion du temps, tandis que sa large plage de tension garantit la compatibilité avec les systèmes basse consommation modernes.

Spécifications techniques complètes :

Traçabilité et conformité : Toutes les unités sont livrées avec une documentation complète de traçabilité du fabricant et répondent aux normes de conformité RoHS/REACH pour la distribution mondiale.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 8 Mbits
Organisation de la mémoire 1M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 45 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 2,2 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-VFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY