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IS62WV10248HBLL-45BLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 8 Mbit

Le circuit intégré IS62WV10248HBLL-45BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SRAM asynchrone 8 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, médical et des télécommunications. Avec un temps d'accès rapide de 45 ns et une large plage de tension de fonctionnement (2,2 V à 3,6 V), cette SRAM parallèle offre des performances constantes même dans des conditions de température extrêmes (-40 °C à 85 °C).

Principales caractéristiques et avantages :

  • Capacité de mémoire de 8 Mbit - Organisation 1M x 8 pour un stockage de données flexible
  • Temps d'accès rapide de 45 ns - Opérations de lecture/écriture rapides pour les applications critiques en temps réel
  • Large plage de tension d'alimentation (2,2 V à 3,6 V) pour une intégration système polyvalente.
  • Plage de température étendue - Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA)
  • Boîtier compact 48-TFBGA - Conception à montage en surface 6x8 mm peu encombrante
  • Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales et réglementaires
  • Interface parallèle asynchrone - Intégration simple avec les microcontrôleurs et processeurs standard

Applications idéales :

Cette mémoire SRAM est idéale pour l'avionique aérospatiale, les calculateurs automobiles, les systèmes de contrôle industriels, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et toute application nécessitant une mise en mémoire tampon de données non volatile à haute vitesse avec une longue durée de vie.

Spécifications techniques complètes :

Distributeur agréé - Nous fournissons des composants 100% traçables et certifiés par le fabricant, avec une documentation complète de conformité RoHS/REACH et un engagement sur le long terme.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement En vrac |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 8 Mbits
Organisation de la mémoire 1M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 45 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 2,2 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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