ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248HBLL-45TLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 13.79 | Dhs. 13.79 |
| 15+ | Dhs. 13.34 | Dhs. 200.10 |
| 25+ | Dhs. 13.05 | Dhs. 326.25 |
| 50+ | Dhs. 12.33 | Dhs. 616.50 |
| 100+ | Dhs. 10.88 | Dhs. 1,088.00 |
| N+ | Dhs. 2.18 | Price Inquiry |
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IS62WV10248HBLL-45TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 8 Mbit
Le circuit intégré IS62WV10248HBLL-45TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SRAM asynchrone 8 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette SRAM à interface parallèle dispose d'une organisation mémoire 1M x 8 et d'un temps d'accès rapide de 45 ns, ce qui la rend idéale pour la mise en mémoire tampon de données à haute vitesse et les applications de systèmes embarqués.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 45 ns pour des opérations de données rapides.
- Alimentation flexible : une large plage de tension (2,2 V à 3,6 V) prend en charge diverses configurations de systèmes.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA)
- Boîtier compact : boîtier de montage en surface 44-TSOP II (0,400", largeur 10,16 mm)
- Conditionnement prêt pour la production : format bande et bobine pour assemblage automatisé
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SRAM est parfaitement adapté pour :
- Systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide
- Mise en mémoire tampon des données dans les équipements de communication à haut débit
- Mémoire cache dans les contrôleurs industriels
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- stockage de données des dispositifs médicaux
- applications aérospatiales et de défense
Assistance et documentation en matière de conception
Une documentation technique complète, des fiches techniques, des schémas de référence et des notes d'application sont disponibles pour faciliter votre processus d'intégration. Notre équipe d'ingénieurs assure un support technique complet pour l'intégration, les tests et la qualification.
Qualité et conformité
Tous les produits bénéficient d'une traçabilité complète, d'une certification de conformité RoHS/REACH et proviennent de circuits de distribution agréés afin de garantir leur authenticité et leur fiabilité pour les applications critiques.
Ressources connexes
Découvrez notre gamme complète de composants et solutions de mémoire , incluant des produits SRAM, DRAM, Flash et des mémoires spécialisées. Consultez notre page d'accueil pour parcourir notre catalogue complet de composants semi-conducteurs haute fiabilité. Restez informé(e) des dernières tendances, articles techniques et annonces produits sur notre blog Actualités et Technique .
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 8 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 45 ns |
| Temps d'accès | 45 ns |
| Tension - Alimentation | 2,2 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
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