ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55B2LI-TR

IS62WV12816BLL-55B2LI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone de 2 Mbit

L' IS62WV12816BLL-55B2LI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire vive statique asynchrone (SRAM) haute performance de 2 mégabits conçue pour les systèmes embarqués, l'électronique industrielle et les applications critiques nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Organisation flexible de la mémoire : configuration 128 Ko x 16 optimisée pour les interfaces de microcontrôleurs et de processeurs 16 bits
• Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 2,5 V à 3,6 V assure la compatibilité avec les systèmes basse consommation modernes.
• Plage de températures industrielles : Fonctionnement prévu de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles
• Boîtier compact pour montage en surface : son format 48-TFBGA (6 x 8 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
• Interface parallèle : bus parallèle asynchrone standard pour une intégration simple
• Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb

Applications typiques

Ce circuit intégré SRAM est parfaitement adapté pour :

• Mémoire tampon et cache des données des systèmes embarqués
• Systèmes de contrôle industriel et automates programmables
• Équipements de réseau et routeurs
• Instrumentation médicale
• Électronique automobile (infodivertissement, ADAS)
• Équipements de test et de mesure
• Extension de mémoire FPGA et microcontrôleur

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Spécifications techniques complètes

Informations sur les commandes et la livraison

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