ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.59 | Dhs. 6.59 |
| 15+ | Dhs. 6.38 | Dhs. 95.70 |
| 25+ | Dhs. 6.24 | Dhs. 156.00 |
| 50+ | Dhs. 5.89 | Dhs. 294.50 |
| 100+ | Dhs. 5.20 | Dhs. 520.00 |
| N+ | Dhs. 1.04 | Price Inquiry |
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IS62WV12816BLL-55BLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit
La mémoire SRAM asynchrone IS62WV12816BLL-55BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute performance de 2 mégabits conçue pour les applications exigeant une grande fiabilité, des temps d'accès rapides et une large plage de températures de fonctionnement. Ce circuit intégré de mémoire de qualité industrielle offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, l'électronique automobile, l'automatisation industrielle et les objets connectés.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès ultra-rapide de 55 ns – Garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation de la mémoire 128K x 16 - Optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
- Large plage de tension (2,5 V - 3,6 V) - Compatible avec les systèmes 3,3 V et de tension inférieure
- Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) - Fonctionnement fiable en environnements difficiles
- Boîtier TFBGA 48 broches à montage en surface - Format compact 6 x 8 mm pour des conceptions compactes
- Interface parallèle - Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales des marchés mondiaux
Applications idéales
Ce composant SRAM est parfaitement adapté aux unités de contrôle automobile, aux automates programmables industriels, aux dispositifs médicaux, aux équipements de télécommunications, aux équipements de réseau, aux systèmes d'acquisition de données et aux applications IoT alimentées par batterie où la faible consommation d'énergie et la conservation des données sont essentielles.
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Spécifications techniques
Ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 2 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 2,5 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
| RoHS |  |
IS62WV12816BLL-55BLI-TR.pdf