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IS62WV12816BLL-55T-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 2 Mbit

Le circuit intégré IS62WV12816BLL-55T-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone de 2 Mbits haute fiabilité, conçue pour les systèmes embarqués critiques. Cette SRAM parallèle offre une organisation mémoire de 128 Ko x 16 avec un temps d'accès rapide de 55 ns, ce qui la rend idéale pour les applications industrielles, automobiles, de télécommunications et aérospatiales nécessitant des solutions de mémoire volatile fiables.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 55 ns pour un traitement rapide des données
  • Alimentation flexible : large plage de tension (2,5 V à 3,6 V) pour une intégration système polyvalente
  • Architecture mémoire fiable : capacité de 2 Mbit avec une organisation de 128 Ko x 16 pour un stockage de données efficace
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
  • Boîtier compact : boîtier de montage en surface 44-TSOP II (0,400", largeur 10,16 mm)
  • Interface parallèle : interface mémoire parallèle standard pour une intégration facile

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SRAM est conçu pour des applications exigeantes, notamment :

  • Systèmes embarqués et conceptions à base de microcontrôleurs
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Équipements de télécommunications et dispositifs de réseau
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • Dispositifs médicaux nécessitant une mise en mémoire tampon fiable des données
  • Systèmes aérospatiaux et de défense

Pourquoi choisir la mémoire SRAM ISSI ?

ISSI est un fabricant reconnu de solutions de mémoire semi-conductrices de haute qualité, fort de plusieurs décennies d'expérience dans la fourniture de composants fiables pour les applications critiques. La mémoire IS62WV12816BLL-55T-TR offre des performances exceptionnelles, une longue durée de vie et une fiabilité éprouvée pour vos projets les plus exigeants.


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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 55 ns
Temps d'accès 55 ns
Tension - Alimentation 2,5 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY