ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55TI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.92 | Dhs. 8.92 |
| 15+ | Dhs. 8.65 | Dhs. 129.75 |
| 25+ | Dhs. 8.46 | Dhs. 211.50 |
| 50+ | Dhs. 7.99 | Dhs. 399.50 |
| 100+ | Dhs. 7.05 | Dhs. 705.00 |
| N+ | Dhs. 1.41 | Price Inquiry |
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IS62WV12816BLL-55TI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit
Le circuit intégré IS62WV12816BLL-55TI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone haute fiabilité de 2 Mbit conçue pour les systèmes embarqués et les applications critiques. Ce composant de mémoire volatile dispose d'une architecture 128 Ko x 16 avec interface parallèle, offrant un temps d'accès rapide de 55 ns pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile et des télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations urgentes.
- Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
- Alimentation flexible : tension d’alimentation de 2,5 V à 3,6 V pour une intégration système polyvalente
- Boîtier CMS : boîtier 44-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé
- Interface parallèle : interface mémoire parallèle standard pour une intégration facile
- Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré SRAM est idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, les systèmes de contrôle industriels, les dispositifs médicaux et les équipements de télécommunications où une mémoire volatile fiable et rapide est essentielle. Sa large plage de températures et sa conception robuste le rendent adapté aux environnements d'exploitation difficiles.
Produits et ressources connexes
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Disponibilité : En stock et prêt à être expédié. Contactez-nous pour connaître les tarifs dégressifs et obtenir une assistance technique.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 2 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 2,5 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
IS62WV12816BLL-55TI-TR.pdf