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25+ Dhs. 8.57 Dhs. 214.25
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IS62WV12816EALL-55BLI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

Le circuit intégré IS62WV12816EALL-55BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone 2 Mbit haut de gamme conçue pour les systèmes embarqués critiques exigeant des solutions de mémoire volatile rapides, fiables et basse consommation. Grâce à son organisation mémoire 128 Ko x 16 et son temps d'accès ultrarapide de 45 ns, ce composant offre des performances exceptionnelles pour les applications industrielles, automobiles, de télécommunications et aérospatiales.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : un temps d'accès de 45 ns et un temps de cycle d'écriture de 55 ns garantissent une récupération et un stockage rapides des données pour les applications sensibles au temps.
  • Architecture mémoire flexible : une capacité de 2 Mbits avec une organisation de 128 Ko x 16 offre un équilibre optimal entre densité et largeur de mot.
  • Fonctionnement à basse tension : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2,2 V réduit la consommation d’énergie tout en maintenant la fiabilité.
  • Plage de température étendue : la plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TA) garantit des performances stables dans des environnements industriels difficiles.
  • Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 48 TFBGA (6 x 8) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
  • Interface parallèle : L’interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb

Applications idéales

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués dans l'avionique aérospatiale, les calculateurs automobiles, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et les systèmes d'acquisition de données où des temps d'accès rapides et l'intégrité des données sont primordiaux.

Spécifications techniques

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Chez HQICKEY, nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs de qualité industrielle, avec une authenticité garantie, un support logistique mondial et une expertise technique pointue. Chaque composant fait l'objet de contrôles qualité rigoureux afin d'assurer sa disponibilité tout au long de son cycle de vie pour vos projets critiques.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 55 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2,2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY