ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816EALL-55BLI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 9.03 | Dhs. 9.03 |
| 15+ | Dhs. 8.76 | Dhs. 131.40 |
| 25+ | Dhs. 8.57 | Dhs. 214.25 |
| 50+ | Dhs. 8.09 | Dhs. 404.50 |
| 100+ | Dhs. 7.14 | Dhs. 714.00 |
| N+ | Dhs. 1.43 | Price Inquiry |
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IS62WV12816EALL-55BLI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit
Le circuit intégré IS62WV12816EALL-55BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone 2 Mbit haut de gamme conçue pour les systèmes embarqués critiques exigeant des solutions de mémoire volatile rapides, fiables et basse consommation. Grâce à son organisation mémoire 128 Ko x 16 et son temps d'accès ultrarapide de 45 ns, ce composant offre des performances exceptionnelles pour les applications industrielles, automobiles, de télécommunications et aérospatiales.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : un temps d'accès de 45 ns et un temps de cycle d'écriture de 55 ns garantissent une récupération et un stockage rapides des données pour les applications sensibles au temps.
- Architecture mémoire flexible : une capacité de 2 Mbits avec une organisation de 128 Ko x 16 offre un équilibre optimal entre densité et largeur de mot.
- Fonctionnement à basse tension : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2,2 V réduit la consommation d’énergie tout en maintenant la fiabilité.
- Plage de température étendue : la plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TA) garantit des performances stables dans des environnements industriels difficiles.
- Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 48 TFBGA (6 x 8) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
- Interface parallèle : L’interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb
Applications idéales
Cette mémoire SRAM haute fiabilité est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués dans l'avionique aérospatiale, les calculateurs automobiles, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et les systèmes d'acquisition de données où des temps d'accès rapides et l'intégrité des données sont primordiaux.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 2 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 45 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2,2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
| RoHS |

IS62WV12816EALL-55BLI.pdf