Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel Dhs. 8.32
Prix habituel Dhs. 8.77 Prix promotionnel Dhs. 8.32
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 8.32 Dhs. 8.32
15+ Dhs. 8.07 Dhs. 121.05
25+ Dhs. 7.89 Dhs. 197.25
50+ Dhs. 7.45 Dhs. 372.50
100+ Dhs. 6.58 Dhs. 658.00
N+ Dhs. 1.32 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

IS62WV12816EALL-55BLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

Le circuit intégré IS62WV12816EALL-55BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone haut de gamme de 2 mégabits, conçue pour les systèmes embarqués et les applications électroniques industrielles exigeant un stockage de données volatiles rapide et fiable. Cette SRAM parallèle haute performance dispose d'une organisation mémoire de 128 Ko x 16 avec un temps d'accès ultrarapide de 45 ns et un temps de cycle d'écriture de 55 ns, ce qui la rend idéale pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : un temps d'accès de 45 ns et un temps de cycle d'écriture de 55 ns garantissent une récupération et un stockage rapides des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 128 Ko x 16 bits offre un équilibre optimal entre densité et largeur de mot pour les systèmes embarqués.
  • Fonctionnement à basse tension : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2,2 V réduit la consommation d’énergie tout en maintenant les performances.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA), idéal pour les environnements industriels difficiles.
  • Boîtier CMS : Le boîtier compact 48-TFBGA (6 x 8 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé dans les conceptions à espace restreint.
  • Interface parallèle : L’interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs, les FPGA et les processeurs.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications

La mémoire SRAM asynchrone IS62WV12816EALL-55BLI-TR est parfaitement adaptée aux applications suivantes :

  • Mémoire tampon et cache des données des systèmes embarqués
  • systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
  • Routeurs de réseau, commutateurs et infrastructure de télécommunications
  • Dispositifs et instruments médicaux
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • Équipements de test et de mesure
  • Extension de mémoire locale du FPGA et du processeur

Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?

Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et de haute qualité, avec une disponibilité garantie sur le long terme et un support technique dédié. Notre vaste gamme de dispositifs semi-conducteurs de mémoire comprend des solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM provenant des plus grands fabricants mondiaux.

Nous comprenons l'importance cruciale de composants de mémoire fiables pour vos projets d'électronique embarquée et industrielle. C'est pourquoi nous appliquons des normes de contrôle qualité rigoureuses et proposons une documentation technique complète pour vous accompagner dans la conception et l'approvisionnement.

Informations sur la commande

Le modèle IS62WV12816EALL-55BLI-TR est disponible en conditionnement sur bande et bobine pour les processus d'assemblage automatisés. Contactez notre équipe technico-commerciale pour connaître les tarifs dégressifs, les délais de livraison et les options de conditionnement personnalisées.

Pour plus d'informations sur notre gamme complète de solutions pour semi-conducteurs, consultez notre blog d'actualités et de mises à jour pour rester informé des derniers lancements de produits, des tendances du secteur et des analyses techniques.

Faites confiance à HQICKEY pour des composants semi-conducteurs authentiques, une distribution mondiale et un support technique expert.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 55 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2,2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY