ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816EALL-55TLI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.88 | Dhs. 8.88 |
| 15+ | Dhs. 8.58 | Dhs. 128.70 |
| 25+ | Dhs. 8.40 | Dhs. 210.00 |
| 50+ | Dhs. 7.93 | Dhs. 396.50 |
| 100+ | Dhs. 7.00 | Dhs. 700.00 |
| N+ | Dhs. 1.40 | Price Inquiry |
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IS62WV12816EALL-55TLI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit
La puce IS62WV12816EALL-55TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone 2 Mbit haut de gamme conçue pour les systèmes embarqués critiques exigeant une mémoire volatile rapide, fiable et basse consommation. Grâce à son organisation parallèle 128K x 16 et son temps d'accès ultrarapide de 45 ns, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les applications aérospatiales, automobiles, de contrôle industriel, médicales et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 45 ns et un temps de cycle d’écriture de 45 ns garantissent un débit de données rapide pour les opérations critiques en temps réel.
- Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2,2 V optimise l’efficacité énergétique des appareils alimentés par batterie et des conceptions économes en énergie.
- Large plage de températures : la plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit la fiabilité dans les environnements industriels et automobiles difficiles.
- Interface parallèle : l’accès direct à la mémoire via un bus parallèle simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs, les FPGA et les DSP.
- Boîtier CMS : Son format compact 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm) permet de gagner de la place sur la carte tout en conservant des performances thermiques robustes.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire SRAM haute fiabilité est idéale pour :
- Mémoire tampon et cache des données des systèmes embarqués
- Systèmes ECU et ADAS automobiles
- Automatisation industrielle et automates programmables
- équipement de diagnostic médical
- Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
- Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
- Systèmes d'acquisition de données à haute vitesse
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 2 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 45 ns |
| Temps d'accès | 45 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2,2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |

IS62WV12816EALL-55TLI.pdf