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IS62WV12816EALL-55TLI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

La puce IS62WV12816EALL-55TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone 2 Mbit haut de gamme conçue pour les systèmes embarqués critiques exigeant une mémoire volatile rapide, fiable et basse consommation. Grâce à son organisation parallèle 128K x 16 et son temps d'accès ultrarapide de 45 ns, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les applications aérospatiales, automobiles, de contrôle industriel, médicales et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 45 ns et un temps de cycle d’écriture de 45 ns garantissent un débit de données rapide pour les opérations critiques en temps réel.
  • Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2,2 V optimise l’efficacité énergétique des appareils alimentés par batterie et des conceptions économes en énergie.
  • Large plage de températures : la plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit la fiabilité dans les environnements industriels et automobiles difficiles.
  • Interface parallèle : l’accès direct à la mémoire via un bus parallèle simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs, les FPGA et les DSP.
  • Boîtier CMS : Son format compact 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm) permet de gagner de la place sur la carte tout en conservant des performances thermiques robustes.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est idéale pour :

  • Mémoire tampon et cache des données des systèmes embarqués
  • Systèmes ECU et ADAS automobiles
  • Automatisation industrielle et automates programmables
  • équipement de diagnostic médical
  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Systèmes d'acquisition de données à haute vitesse

Pourquoi choisir HQICKEY pour vos besoins en circuits intégrés de mémoire ?

Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs de haute fiabilité et de qualité industrielle pour les applications critiques. Notre vaste gamme de circuits intégrés mémoire comprend des solutions SRAM, DRAM, Flash et EEPROM provenant de fabricants de confiance du monde entier. Nous garantissons l'authenticité des composants, des prix compétitifs et un support logistique international.

Pour des analyses techniques, des notes d'application et des tendances du secteur, consultez notre blog Actualités et Techniques pour rester informé des dernières innovations en matière de semi-conducteurs.

Commandez dès aujourd'hui l'IS62WV12816EALL-55TLI et découvrez la différence HQICKEY en matière de qualité, de fiabilité et de service client.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 45 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2,2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY