ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816EALL-55TLI-TR

IS62WV12816EALL-55TLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

L' IS62WV12816EALL-55TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone de 2 Mbit à haute fiabilité conçue pour les systèmes embarqués, les commandes industrielles et les applications critiques nécessitant une mémoire volatile rapide avec une rétention de données exceptionnelle et une faible consommation d'énergie.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 45 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Organisation flexible de la mémoire : configuration 128 Ko x 16 optimisée pour les architectures de microcontrôleurs et de processeurs 16 bits
• Large plage de tension : le fonctionnement de 1,65 V à 2,2 V assure la compatibilité avec les systèmes basse consommation modernes.
• Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C (TA), qualification pour les environnements difficiles.
• Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour un débit maximal dans les systèmes embarqués.
• Boîtier CMS : 44-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux contrôleurs d'automatisation industrielle, aux calculateurs automobiles, aux équipements de télécommunications, aux dispositifs médicaux, aux systèmes aérospatiaux et à toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec un fonctionnement à température étendue.

Spécifications techniques

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