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IS62WV12816EBLL-45BLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

La mémoire IS62WV12816EBLL-45BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 2 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications embarquées, industrielles et automobiles exigeantes. Dotée d'une organisation mémoire 128K x 16 avec interface parallèle, cette mémoire volatile offre un temps d'accès rapide de 45 ns et fonctionne sur une large plage de tensions d'alimentation, de 2,2 V à 3,6 V. Son boîtier compact 48-TFBGA (6x8) pour montage en surface garantit une intégration optimisée tout en assurant des performances robustes sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.

Conçue pour les applications exigeant un accès rapide aux données et un stockage temporaire fiable, cette puce SRAM est idéale pour les systèmes à microcontrôleur, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel. Son architecture asynchrone élimine le besoin de synchronisation d'horloge, simplifiant ainsi la conception du système et réduisant la consommation d'énergie.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 45 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 2,2 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY