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IS62WV12816FBLL-45BLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

La puce IS62WV12816FBLL-45BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une puce de mémoire SRAM asynchrone de 2 Mbit à haute fiabilité conçue pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile et les applications IoT nécessitant un accès mémoire parallèle rapide et fiable.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès rapide : une vitesse d'accès de 45 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Alimentation flexible : sa large plage de tension (2,2 V à 3,6 V) prend en charge diverses architectures système.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
  • Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 48 TFBGA (6 x 8) optimise l’espace sur la carte.
  • Interface parallèle : accès direct à la mémoire sans protocoles complexes
  • Organisation 128K x 16 : Gestion efficace des données à l’échelle mondiale

Spécifications techniques

Applications

Cette puce mémoire SRAM est idéale pour :

  • Systèmes embarqués nécessitant une mémoire tampon rapide
  • équipements de contrôle et d'automatisation industriels
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • Matériel de réseau et de télécommunications
  • Dispositifs et instruments médicaux
  • Dispositifs informatiques de périphérie IoT

Garantie de qualité et d'authenticité

Nous nous approvisionnons en composants semi-conducteurs directement auprès de distributeurs et fabricants agréés, garantissant ainsi des pièces 100 % authentiques, une traçabilité complète et un support tout au long de leur cycle de vie. Chaque puce IS62WV12816FBLL-45BLI est conforme à la norme RoHS et bénéficie de notre garantie qualité.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement En vrac |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 45 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 2,2 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY