ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816FBLL-45TLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 5.62 | Dhs. 5.62 |
| 15+ | Dhs. 5.45 | Dhs. 81.75 |
| 25+ | Dhs. 5.33 | Dhs. 133.25 |
| 50+ | Dhs. 5.03 | Dhs. 251.50 |
| 100+ | Dhs. 4.44 | Dhs. 444.00 |
| N+ | Dhs. 0.89 | Price Inquiry |
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IS62WV12816FBLL-45TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit
Le circuit intégré IS62WV12816FBLL-45TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone haute fiabilité de 2 Mbit conçue pour les applications embarquées, industrielles, automobiles et IoT exigeantes. Grâce à son organisation mémoire de 128 Ko x 16 et à son temps d'accès rapide de 45 ns, cette SRAM à interface parallèle offre des performances exceptionnelles pour les opérations à forte intensité de données.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 45 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Alimentation flexible : une large plage de tension (2,2 V à 3,6 V) prend en charge diverses exigences système.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
- Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 44-TSOP II optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
- Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SRAM est idéal pour :
- Systèmes embarqués nécessitant un stockage de données rapide et fiable
- équipements de contrôle et d'automatisation industriels
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Dispositifs IoT et applications de calcul en périphérie
- Infrastructure de réseau et de télécommunications
- Dispositifs médicaux et d'instrumentation
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 2 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 45 ns |
| Temps d'accès | 45 ns |
| Tension - Alimentation | 2,2 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
IS62WV12816FBLL-45TLI-TR.pdf