ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616BLL-55BI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.27 | Dhs. 17.27 |
| 15+ | Dhs. 16.72 | Dhs. 250.80 |
| 25+ | Dhs. 16.35 | Dhs. 408.75 |
| 50+ | Dhs. 15.44 | Dhs. 772.00 |
| 100+ | Dhs. 13.63 | Dhs. 1,363.00 |
| N+ | Dhs. 2.73 | Price Inquiry |
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IS62WV25616BLL-55BI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit
La puce IS62WV25616BLL-55BI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit conçue pour les applications exigeant un accès mémoire parallèle rapide et fiable. Avec une organisation de 256 Ko x 16 et un temps d'accès de 55 ns, ce circuit intégré mémoire offre des performances exceptionnelles pour les systèmes industriels, automobiles, de télécommunications et embarqués.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Alimentation flexible : sa large plage de tension (2,5 V à 3,6 V) répond à diverses exigences système.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
- Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 48 TFBGA (6 x 8 mm) optimise l’espace sur la carte.
- Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et processeurs standard
- Stock autorisé : documentation complète du fabricant, traçabilité et assistance garantie
Applications typiques
Cette mémoire SRAM est idéale pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les systèmes aérospatiaux et toute application nécessitant une mémoire tampon rapide et non volatile avec une longue durée de vie.
Spécifications techniques complètes
Distributeur agréé : Nous fournissons des composants ISSI authentiques avec une traçabilité complète du fabricant, une documentation détaillée et un support tout au long du cycle de vie afin de limiter les risques d’obsolescence pour vos programmes critiques.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 2,5 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
| RoHS |  |
IS62WV25616BLL-55BI-TR.pdf