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IS62WV25616EALL-55BLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire IS62WV25616EALL-55BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 4 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire à interface parallèle offre un temps d'accès rapide de 55 ns et fonctionne sous basse tension (1,65 V à 2,2 V), ce qui le rend idéal pour les applications alimentées par batterie et les systèmes à faible consommation d'énergie.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 55 ns pour un traitement rapide des données
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 256 Ko x 16 optimise le débit de données pour les applications 16 bits
  • Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2,2 V réduit la consommation d’énergie.
  • Large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 85 °C, garantissant une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 48-VFBGA (6 x 8 mm) permet de gagner de la place sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
  • Prêt pour la production : Disponible en emballage bande et bobine pour assemblage automatisé

Applications typiques

Cette mémoire SRAM est conçue pour les applications nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable, offrant une traçabilité complète et une longue durée de vie, notamment les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements de réseau, les dispositifs médicaux, l'électronique automobile et les infrastructures de télécommunications.

Spécifications techniques complètes

Assistance et documentation en matière de conception

Des fiches techniques complètes, des schémas de référence et une assistance technique sont disponibles pour faciliter l'intégration et l'approvisionnement. Contactez notre équipe d'ingénierie pour obtenir des conseils personnalisés, des tarifs dégressifs et des informations sur les options de livraison.

Ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de semi-conducteurs de mémoire, incluant les solutions SRAM, DRAM, Flash et EEPROM pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Consultez le catalogue complet de composants semi-conducteurs haute fiabilité de HQICKEY , offrant une traçabilité complète et une disponibilité à long terme. Restez informé(e) des dernières tendances, articles techniques et annonces produits sur notre blog .

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 55 ns
Temps d'accès 55 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2,2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-VFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY