ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EALL-55TLI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 14.46 | Dhs. 14.46 |
| 15+ | Dhs. 13.99 | Dhs. 209.85 |
| 25+ | Dhs. 13.69 | Dhs. 342.25 |
| 50+ | Dhs. 12.93 | Dhs. 646.50 |
| 100+ | Dhs. 11.41 | Dhs. 1,141.00 |
| N+ | Dhs. 2.28 | Price Inquiry |
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IS62WV25616EALL-55TLI - SRAM asynchrone haute fiabilité de 4 Mbit
La mémoire SRAM asynchrone IS62WV25616EALL-55TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute performance de 4 Mbits conçue pour les applications critiques exigeant des temps d'accès rapides et un stockage de données fiable. Avec une organisation mémoire de 256 Ko x 16 et un temps d'accès de 55 ns, cette SRAM à interface parallèle offre des performances exceptionnelles pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès rapide de 55 ns – Garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
- Fonctionnement à basse tension (1,65 V ~ 2,2 V) - Optimisé pour les systèmes embarqués à faible consommation d'énergie
- Large plage de températures (-40 °C à 85 °C) - Fiabilité éprouvée dans les environnements industriels difficiles
- Interface parallèle - Intégration simple avec les architectures de microcontrôleurs anciennes et modernes
- Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales et réglementaires pour un déploiement mondial
- Boîtier CMS 44-TSOP II - Conception compacte pour les circuits imprimés haute densité
Applications idéales
Ce composant SRAM est conçu pour des cas d'utilisation exigeants, notamment l'avionique aérospatiale, les calculateurs automobiles, les systèmes de contrôle industriels, les équipements de diagnostic médical et l'infrastructure des télécommunications, où l'intégrité des données et la disponibilité sur une longue durée de vie sont primordiales.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2,2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
IS62WV25616EALL-55TLI.pdf