ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EALL-55TLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 13.49 | Dhs. 13.49 |
| 15+ | Dhs. 13.06 | Dhs. 195.90 |
| 25+ | Dhs. 12.78 | Dhs. 319.50 |
| 50+ | Dhs. 12.07 | Dhs. 603.50 |
| 100+ | Dhs. 10.65 | Dhs. 1,065.00 |
| N+ | Dhs. 2.13 | Price Inquiry |
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IS62WV25616EALL-55TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit
La mémoire IS62WV25616EALL-55TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit conçue pour les applications exigeant un accès mémoire parallèle rapide et fiable. Avec une organisation de 256 Ko x 16 et un temps d'accès de 55 ns, ce composant offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, les commandes industrielles, l'électronique automobile et les équipements de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Fonctionnement à basse tension : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2,2 V optimise l’efficacité énergétique.
- Large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 85 °C, adaptée aux environnements industriels et automobiles.
- Interface parallèle : accès direct à la mémoire sans protocoles complexes
- Boîtier CMS : boîtier 44-TSOP II pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
Applications
Idéal pour les systèmes aérospatiaux, les calculateurs automobiles, l'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et toute application nécessitant une mémoire volatile à accès rapide et à haute fiabilité avec une traçabilité complète.
Spécifications techniques
Qualité et conformité
En tant que distributeur agréé, nous assurons une traçabilité complète, la documentation de conformité RoHS/REACH et une assistance à l'intégration, incluant fiches techniques et schémas de référence. Tous les composants proviennent directement d'ISSI, garantissant ainsi leur authenticité et leur disponibilité tout au long de leur cycle de vie.
Informations de commande
Disponible en conditionnement sur bande et bobine pour répondre aux exigences de production à grande échelle. Livraison internationale disponible pour accompagner vos besoins en ingénierie et approvisionnement.
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En choisissant HQICKEY pour votre IS62WV25616EALL-55TLI-TR, vous bénéficiez de notre engagement envers la qualité, l'authenticité et le support technique. Conscients du rôle crucial des composants mémoire dans vos conceptions, nous appliquons des normes de contrôle qualité rigoureuses et fournissons une documentation complète pour chaque composant expédié.
Notre équipe d'ingénieurs est à votre disposition pour vous accompagner dans la conception et le choix de la solution mémoire la mieux adaptée à vos besoins spécifiques. Que vous travailliez pour des applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales ou de télécommunications, nous disposons de l'expertise et des stocks nécessaires pour vous accompagner de la conception du prototype à la production.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2,2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
IS62WV25616EALL-55TLI-TR.pdf