ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EBLL-45B2LI

IS62WV25616EBLL-45B2LI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

Le circuit intégré IS62WV25616EBLL-45B2LI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit haut de gamme conçue pour les applications critiques exigeant des performances mémoire rapides, fiables et durables. Avec une organisation de 256 Ko x 16 et un temps d'accès ultrarapide de 45 ns, ce composant mémoire de qualité industrielle offre des performances exceptionnelles même dans les environnements les plus exigeants.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 45 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Plage de fonctionnement robuste : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les applications industrielles, automobiles et aérospatiales.
• Alimentation flexible : sa large plage de tension (2,2 V à 3,6 V) prend en charge diverses architectures système.
• Boîtier compact : La conception compacte 48-TFBGA (6x8) à montage en surface optimise l'espace sur la carte.
• Disponibilité tout au long du cycle de vie : garantie par l’engagement d’ISSI en matière de disponibilité produit étendue pour une intégration en toute confiance.
• Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une conformité optimale au marché mondial

Applications idéales

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est conçue pour les applications où la performance, la durabilité et la traçabilité sont primordiales, notamment l'avionique aérospatiale, les systèmes de contrôle automobile, l'automatisation industrielle, l'instrumentation médicale, l'infrastructure des télécommunications et les plateformes informatiques embarquées.

Spécifications techniques complètes

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