ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616ECLL-35BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.85 | Dhs. 12.85 |
| 15+ | Dhs. 12.44 | Dhs. 186.60 |
| 25+ | Dhs. 12.17 | Dhs. 304.25 |
| 50+ | Dhs. 11.49 | Dhs. 574.50 |
| 100+ | Dhs. 10.14 | Dhs. 1,014.00 |
| N+ | Dhs. 2.03 | Price Inquiry |
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IS62WV25616ECLL-35BLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
Le circuit intégré IS62WV25616ECLL-35BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce composant mémoire haut de gamme dispose d'une architecture 256K x 16 avec interface parallèle, offrant des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 35 ns et un fonctionnement sur une large plage de températures allant de -40 °C à 85 °C.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 35 ns pour un traitement rapide des données
- Alimentation fiable : la plage de tension de fonctionnement de 3,135 V à 3,465 V garantit un fonctionnement stable.
- Plage de températures étendue : -40 °C à 85 °C (TA) pour les applications en environnements difficiles
- Boîtier compact pour montage en surface : 48-VFBGA (6x8) pour des circuits imprimés compacts.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
- Conditionnement en bande et bobine : prêt pour les processus d’assemblage automatisés
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire SRAM haute fiabilité est idéale pour les applications critiques telles que les systèmes embarqués, les systèmes de contrôle industriels, les équipements de réseau, les dispositifs médicaux, l'électronique automobile et les infrastructures de télécommunications où un accès mémoire rapide et fiable est essentiel.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 35 ns |
| Temps d'accès | 35 ns |
| Tension - Alimentation | 3,135 V ~ 3,465 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-VFBGA (6x8) |
| RoHS |  |
IS62WV25616ECLL-35BLI-TR.pdf