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IS62WV25616ECLL-35TLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire IS62WV25616ECLL-35TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 4 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Grâce à son organisation mémoire de 256 Ko x 16 et à son temps d'accès rapide de 35 ns, cette solution de mémoire à montage en surface offre des performances constantes sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 35 ns pour des opérations de données rapides.
  • Organisation de mémoire flexible : configuration d’interface parallèle 256 Ko x 16
  • Large plage de fonctionnement : tolérance aux températures de -40 °C à 85 °C pour les applications industrielles
  • Fonctionnement à faible consommation : plage de tension d'alimentation de 3,135 V à 3,465 V
  • Montage en surface compact : boîtier 44-TSOP II (0,400", largeur 10,16 mm)
  • Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
  • Technologie asynchrone fiable : aucune horloge requise, conception de synchronisation simplifiée

Applications idéales

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, aux équipements de réseau, à la mise en mémoire tampon des données, à la mémoire cache, aux contrôleurs industriels, aux dispositifs médicaux et à l'électronique automobile où une mémoire volatile rapide et fiable est essentielle.

Spécifications techniques

Qualité et conformité

Tous les composants proviennent de distributeurs agréés et sont accompagnés d'une documentation de traçabilité complète. Conformes aux normes RoHS et REACH. Fiches techniques et schémas de référence disponibles pour faciliter l'intégration.

Référence : IS62WV25616ECLL-35TLI
Fabricant : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
Disponibilité : En stock, conditionnement en vrac

Ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de composants semi-conducteurs pour mémoire , incluant des solutions SRAM, DRAM, Flash et EEPROM. Consultez notre page d'accueil pour explorer toutes nos catégories de produits ou notre blogue technique pour des analyses sectorielles, des notes d'application et les annonces de nouveaux produits.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement En vrac |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 35 ns
Temps d'accès 35 ns
Tension - Alimentation 3,135 V ~ 3,465 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
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