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25+ Dhs. 12.41 Dhs. 310.25
50+ Dhs. 11.72 Dhs. 586.00
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IS62WV25616ECLL-35TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 4 Mbit

Le circuit intégré IS62WV25616ECLL-35TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution de mémoire volatile offre des temps d'accès rapides et fiables ainsi qu'une grande robustesse sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 35 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation flexible de la mémoire : configuration 256 Ko x 16 avec interface parallèle pour une intégration système polyvalente
  • Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 85 °C (TA) pour un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles.
  • Tension standard industrielle : tension d’alimentation de 3,135 V à 3,465 V compatible avec les systèmes 3,3 V.
  • Conditionnement compact : Boîtier 44-TSOP II à montage en surface (0,400", largeur 10,16 mm)
  • Conforme à la norme RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales
  • Conditionnement en bande et bobine : prêt pour les processus d’assemblage automatisés

Applications techniques

Ce circuit intégré SRAM est idéal pour les applications exigeant une mémoire vive rapide, notamment les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements réseau, les systèmes d'acquisition de données et les plateformes informatiques haute fiabilité. Son architecture asynchrone simplifie la gestion du temps, tandis que son interface parallèle facilite l'intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.

Spécifications techniques complètes

Qualité et traçabilité

Chaque composant HQICKEY est accompagné d'une documentation de traçabilité complète, garantissant son authenticité et sa conformité aux normes industrielles. Nos composants semi-conducteurs proviennent directement de distributeurs agréés et sont soumis à des contrôles qualité rigoureux.

Produits et ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de circuits intégrés de mémoire, incluant des solutions SRAM, DRAM, Flash et EEPROM, pour répondre à tous vos besoins de conception. Visitez HQICKEY pour consulter notre catalogue complet de circuits logiques programmables, de microcontrôleurs et de composants semi-conducteurs. Pour des analyses techniques, des notes d'application et les dernières actualités du secteur, consultez notre blogue technique .

Besoin d'aide pour le choix des composants ou les spécifications techniques ? Notre équipe d'ingénieurs est prête à vous accompagner dans votre processus d'intégration grâce à des conseils d'experts et des fiches techniques complètes.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 35 ns
Temps d'accès 35 ns
Tension - Alimentation 3,135 V ~ 3,465 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY