ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568BLL-55BLI

IS62WV2568BLL-55BLI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

L' IS62WV2568BLL-55BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire vive statique asynchrone (SRAM) haute performance de 2 mégabits conçue pour les systèmes embarqués, l'électronique industrielle et les applications critiques nécessitant des solutions de mémoire rapides, fiables et à faible consommation.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Organisation de la mémoire flexible : configuration 256 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
• Large plage de tension : la tension d’alimentation de 2,5 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures système.
• Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
• Boîtier compact pour montage en surface : son format 36-TFBGA (6x8) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
• Interface parallèle : une interface simple et éprouvée pour une intégration directe.
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux équipements de réseau, aux infrastructures de télécommunications, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux, aux contrôleurs industriels, à la mise en mémoire tampon des données, à la mémoire cache et aux systèmes informatiques embarqués où la vitesse, la fiabilité et la disponibilité à long terme sont primordiales.

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Spécifications techniques

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