ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568EBLL-45BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.57 | Dhs. 7.57 |
| 15+ | Dhs. 7.34 | Dhs. 110.10 |
| 25+ | Dhs. 7.18 | Dhs. 179.50 |
| 50+ | Dhs. 6.78 | Dhs. 339.00 |
| 100+ | Dhs. 5.99 | Dhs. 599.00 |
| N+ | Dhs. 1.20 | Price Inquiry |
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IS62WV2568EBLL-45BLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit
L' IS62WV2568EBLL-45BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire vive statique asynchrone (SRAM) haute performance de 2 mégabits conçue pour les applications embarquées et industrielles nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une faible consommation d'énergie.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 45 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation flexible de la mémoire : la configuration 256 Ko x 8 offre une gestion optimale des données à l’échelle de l’octet
- Large plage de tension : la tension d’alimentation de 2,2 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures système.
- Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
- Interface parallèle : L’interface parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
- Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 36 TFBGA (6 x 8 mm) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications idéales
Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, aux contrôleurs industriels, aux équipements de réseau, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux et à toute application nécessitant une mémoire tampon haute vitesse avec conservation garantie des données pendant la mise sous tension.
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Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 2 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 256K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 45 ns |
| Temps d'accès | 45 ns |
| Tension - Alimentation | 2,2 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 36-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 36-TFBGA (6x8) |
| RoHS |

IS62WV2568EBLL-45BLI-TR.pdf