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15+ Dhs. 15.99 Dhs. 239.85
25+ Dhs. 15.64 Dhs. 391.00
50+ Dhs. 14.77 Dhs. 738.50
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IS62WV51216EALL-55BLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 8 Mbit

La mémoire IS62WV51216EALL-55BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 8 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Ce circuit intégré de mémoire à interface parallèle offre une architecture 512 Ko x 16, un temps d'accès rapide de 55 ns et un fonctionnement basse tension (1,65 V à 2,2 V), ce qui la rend idéale pour les applications alimentées par batterie et les systèmes à faible consommation d'énergie.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Performances à haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 55 ns pour un traitement rapide des données
  • Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2,2 V optimise la consommation d’énergie.
  • Plage de températures étendue : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
  • Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 48 VFBGA (6 x 8) permet de gagner un espace précieux sur la carte.
  • Interface parallèle : l’interface SRAM asynchrone standard simplifie l’intégration
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Applications typiques :

  • Systèmes aérospatiaux et de défense exigeant une haute fiabilité
  • Électronique automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • équipement d'infrastructure de télécommunications
  • Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
  • Applications de mise en mémoire tampon et de mémoire cache

Spécifications techniques complètes :

Pourquoi choisir ce composant ?

En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants ISSI authentiques avec une traçabilité complète, un support technique tout au long de leur cycle de vie et des ressources d'intégration technique. Chaque unité est livrée avec une documentation complète et bénéficie de notre engagement en matière de qualité et de fiabilité. Nous proposons une livraison internationale et des services à valeur ajoutée pour accompagner votre projet, du prototype à la production.

Besoin d'assistance technique ou de tarifs dégressifs ? Contactez notre équipe d'applications pour obtenir de l'aide à la conception, des options d'emballage personnalisées ou des remises sur quantité.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 8 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 55 ns
Temps d'accès 55 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2,2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-VFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY