ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EALL-55BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.52 | Dhs. 16.52 |
| 15+ | Dhs. 15.99 | Dhs. 239.85 |
| 25+ | Dhs. 15.64 | Dhs. 391.00 |
| 50+ | Dhs. 14.77 | Dhs. 738.50 |
| 100+ | Dhs. 13.04 | Dhs. 1,304.00 |
| N+ | Dhs. 2.61 | Price Inquiry |
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IS62WV51216EALL-55BLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 8 Mbit
La mémoire IS62WV51216EALL-55BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 8 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Ce circuit intégré de mémoire à interface parallèle offre une architecture 512 Ko x 16, un temps d'accès rapide de 55 ns et un fonctionnement basse tension (1,65 V à 2,2 V), ce qui la rend idéale pour les applications alimentées par batterie et les systèmes à faible consommation d'énergie.
Principales caractéristiques et avantages :
- Performances à haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 55 ns pour un traitement rapide des données
- Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2,2 V optimise la consommation d’énergie.
- Plage de températures étendue : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
- Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 48 VFBGA (6 x 8) permet de gagner un espace précieux sur la carte.
- Interface parallèle : l’interface SRAM asynchrone standard simplifie l’intégration
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Applications typiques :
- Systèmes aérospatiaux et de défense exigeant une haute fiabilité
- Électronique automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- équipement d'infrastructure de télécommunications
- Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
- Applications de mise en mémoire tampon et de mémoire cache
Spécifications techniques complètes :
Pourquoi choisir ce composant ?
En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants ISSI authentiques avec une traçabilité complète, un support technique tout au long de leur cycle de vie et des ressources d'intégration technique. Chaque unité est livrée avec une documentation complète et bénéficie de notre engagement en matière de qualité et de fiabilité. Nous proposons une livraison internationale et des services à valeur ajoutée pour accompagner votre projet, du prototype à la production.
Besoin d'assistance technique ou de tarifs dégressifs ? Contactez notre équipe d'applications pour obtenir de l'aide à la conception, des options d'emballage personnalisées ou des remises sur quantité.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 8 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2,2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-VFBGA (6x8) |
| RoHS |

IS62WV51216EALL-55BLI-TR.pdf