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IS62WV51216EBLL-45BLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 8 Mbit

La mémoire IS62WV51216EBLL-45BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 8 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, médical et des télécommunications. Dotée d'une organisation mémoire de 512 Ko x 16 et d'un temps d'accès rapide de 45 ns, cette mémoire à interface parallèle offre des performances constantes sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Performances à haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 45 ns pour un traitement rapide des données
  • Alimentation flexible : large plage de tension (2,2 V à 3,6 V) pour une intégration système polyvalente
  • Fiabilité de niveau industriel : une plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C) garantit un fonctionnement stable dans des environnements difficiles.
  • Conditionnement compact : Boîtier compact 48-VFBGA (6x8) pour montage en surface
  • Conformité totale : certifié RoHS et REACH pour les normes environnementales
  • Assistance tout au long du cycle de vie : garantie par l’engagement d’ISSI en matière de disponibilité des produits à long terme

Applications idéales :

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux systèmes aérospatiaux, à l'électronique automobile, aux systèmes de contrôle industriels, aux dispositifs médicaux, aux équipements de télécommunications et à toute application nécessitant une mémoire haute fiabilité avec un support de cycle de vie étendu et une traçabilité complète.

Spécifications techniques complètes :

Informations de commande : Disponible en conditionnement sur bande et bobine pour assemblage automatisé. Documentation complète du fabricant et assistance tout au long du cycle de vie disponibles.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 8 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 45 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 2,2 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-VFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY