ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EBLL-45TLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 14.65 | Dhs. 14.65 |
| 15+ | Dhs. 14.20 | Dhs. 213.00 |
| 25+ | Dhs. 13.89 | Dhs. 347.25 |
| 50+ | Dhs. 13.12 | Dhs. 656.00 |
| 100+ | Dhs. 11.57 | Dhs. 1,157.00 |
| N+ | Dhs. 2.31 | Price Inquiry |
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IS62WV51216EBLL-45TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone 8 Mbit
La mémoire SRAM asynchrone IS62WV51216EBLL-45TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute performance de 8 Mbits conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable avec interface parallèle. Dotée d'une organisation mémoire de 512 Ko x 16 et d'un temps d'accès de 45 ns, cette SRAM est idéale pour les systèmes industriels, automobiles, de télécommunications et embarqués nécessitant un support à long terme et une traçabilité complète.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 45 ns pour les applications temps réel exigeantes
- Large plage de tension : fonctionnement de 2,2 V à 3,6 V pour une intégration système flexible
- Plage de température industrielle : de -40 °C à 85 °C, pour les environnements difficiles.
- Boîtier pour montage en surface : 44-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) pour assemblage automatisé
- Conforme à la directive RoHS : Respecte les normes environnementales et réglementaires
- Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour la production en grande série
Applications cibles
Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux secteurs de l'aérospatiale, des calculateurs automobiles, des contrôleurs industriels, des dispositifs médicaux, des équipements de réseau et des infrastructures de télécommunications, où des composants à haute fiabilité et à longue durée de vie sont essentiels.
Spécifications techniques complètes
Conformité et qualité : Ce composant bénéficie d'une documentation de traçabilité complète et répond aux normes environnementales RoHS/REACH, garantissant son adéquation aux marchés mondiaux et aux programmes de disponibilité à long terme.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 8 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 45 ns |
| Temps d'accès | 45 ns |
| Tension - Alimentation | 2,2 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
IS62WV51216EBLL-45TLI-TR.pdf