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IS62WV51216GBLL-45TLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 8 Mbit

Le circuit intégré IS62WV51216GBLL-45TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone 8 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, médical et des télécommunications. Grâce à son organisation mémoire 512 Ko x 16 et à son temps d'accès rapide de 45 ns, ce composant offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués nécessitant un accès mémoire parallèle fiable et rapide.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 45 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Alimentation flexible : une large plage de tension (2,2 V à 3,6 V) prend en charge diverses conceptions de systèmes.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
  • Interface parallèle : une interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration dans les conceptions existantes.
  • Boîtier CMS : Boîtier 48-TSOP I optimisé pour l’assemblage automatisé et les circuits imprimés à espace restreint
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une conformité optimale au marché mondial
  • Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour les processus de fabrication automatisés à grand volume

Applications idéales :

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux systèmes avioniques aérospatiaux, aux systèmes de contrôle automobile, à l'automatisation industrielle, aux dispositifs médicaux, aux infrastructures de télécommunications et à toute application exigeant un support technique à long terme et une traçabilité complète. ISSI fournit une documentation fabricant exhaustive et un engagement sur tout le cycle de vie pour une intégration en toute sérénité.

Spécifications techniques complètes :

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 8 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 45 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 2,2 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TSOP I
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY