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IS62WV51216HBLL-45BLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 8 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone IS62WV51216HBLL-45BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute fiabilité de 8 Mbit conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, médical et des télécommunications. Grâce à son organisation mémoire de 512 Ko x 16 et à son temps d'accès ultrarapide de 45 ns, cette SRAM à interface parallèle offre des performances constantes sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès rapide : un cycle d'accès et d'écriture de 45 ns garantit une récupération rapide des données pour les systèmes critiques en temps réel.
  • Large plage de tension : le fonctionnement de 2,2 V à 3,6 V offre une grande flexibilité pour diverses architectures d’alimentation.
  • Plage de températures étendue : qualification de -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements industriels difficiles
  • Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 48 VFBGA (6 x 8) optimise l’espace sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales et réglementaires pour un déploiement mondial
  • Assistance tout au long du cycle de vie : garantie par l’engagement d’ISSI en faveur d’une disponibilité produit étendue

Applications typiques

  • systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
  • Modules électroniques automobiles et ADAS
  • Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Systèmes aérospatiaux et de défense exigeant une haute fiabilité
  • Mise en mémoire tampon des données et mémoire cache dans les systèmes embarqués

Pourquoi choisir IS62WV51216HBLL-45BLI ?

Cette mémoire SRAM combine une architecture asynchrone éprouvée avec un conditionnement moderne et conforme aux normes environnementales. Son interface parallèle simplifie l'intégration aux conceptions existantes et nouvelles, tandis que sa densité de 8 Mbit offre une capacité de stockage suffisante pour la mise en mémoire tampon, le cache et le stockage temporaire de données. La traçabilité complète et la documentation du fabricant garantissent une intégration aisée et un approvisionnement fiable à long terme.

Spécifications techniques complètes

Informations de commande : La référence IS62WV51216HBLL-45BLI est disponible pour un devis immédiat. Contactez-nous pour connaître les tarifs dégressifs, les délais de livraison et obtenir la documentation complète de traçabilité, incluant les fiches techniques et les certificats de conformité.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement En vrac |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 8 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 45 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 2,2 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-VFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY