ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55HI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.27 | Dhs. 17.27 |
| 15+ | Dhs. 16.72 | Dhs. 250.80 |
| 25+ | Dhs. 16.35 | Dhs. 408.75 |
| 50+ | Dhs. 15.44 | Dhs. 772.00 |
| 100+ | Dhs. 13.63 | Dhs. 1,363.00 |
| N+ | Dhs. 2.73 | Price Inquiry |
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IS62WV5128BLL-55HI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La mémoire IS62WV5128BLL-55HI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone haute densité de 4 Mbits, organisée en 8 x 512 Ko, offrant un temps d'accès rapide de 55 ns pour les applications embarquées exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface fonctionne sur une large plage de tensions (2,5 V à 3,6 V) et de températures industrielles (-40 °C à 85 °C), ce qui le rend idéal pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, de contrôle industriel et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages :
- Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Alimentation flexible : fonctionnement de 2,5 V à 3,6 V compatible avec diverses architectures système
- Fiabilité de qualité industrielle : plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Boîtier compact : le boîtier CMS 32 TFSOP (largeur de 11,80 mm) optimise l'espace sur la carte.
- Interface parallèle : une interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Applications cibles :
Cette mémoire SRAM est conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable, notamment les systèmes embarqués, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache, l'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux et les systèmes aérospatiaux et de défense critiques. En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants ISSI authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'un support technique à long terme afin de garantir la pérennité de votre investissement.
Spécifications techniques complètes :
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 2,5 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-TFSOP (0,465", largeur 11,80 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-sTSOP I |
| RoHS |  |
IS62WV5128BLL-55HI-TR.pdf