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IS62WV5128BLL-55QLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire IS62WV5128BLL-55QLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 4 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 55 ns et fonctionne sur une large plage de tensions d'alimentation (de 2,5 V à 3,6 V), ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données rapide et fiable.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
  • Organisation de la mémoire flexible : configuration 512 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
  • Large plage de fonctionnement : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour des applications industrielles.
  • Conception basse consommation : une tension d'alimentation de 2,5 V à 3,6 V permet de concevoir des systèmes économes en énergie.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
  • Boîtier CMS : boîtier SOIC 32 (largeur de 11,30 mm) pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute performance est conçue pour les applications exigeantes, notamment :

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • calculateurs automobiles et systèmes critiques pour la sécurité
  • Automatisation industrielle et contrôle des processus
  • équipement de diagnostic médical
  • Infrastructure de télécommunications
  • Informatique embarquée et mise en mémoire tampon des données

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Tube |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 55 ns
Temps d'accès 55 ns
Tension - Alimentation 2,5 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-SOIC (0,445", largeur 11,30 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY