ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EALL-55TLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 13.19 | Dhs. 13.19 |
| 15+ | Dhs. 12.79 | Dhs. 191.85 |
| 25+ | Dhs. 12.51 | Dhs. 312.75 |
| 50+ | Dhs. 11.82 | Dhs. 591.00 |
| 100+ | Dhs. 10.43 | Dhs. 1,043.00 |
| N+ | Dhs. 2.09 | Price Inquiry |
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IS62WV5128EALL-55TLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La mémoire SRAM asynchrone IS62WV5128EALL-55TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute fiabilité de 4 Mbit conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette SRAM parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 55 ns et fonctionne efficacement sur une large plage de températures.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation de la mémoire flexible : configuration 512 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
- Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2,2 V réduit la consommation d’énergie.
- Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels difficiles
- Boîtier compact pour montage en surface : 32-TSOP I (32-TFSOP) pour des circuits imprimés compacts.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
Applications idéales
Cette mémoire SRAM asynchrone est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, à la mise en mémoire tampon des données, à la mémoire cache, aux équipements de réseau, aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile et aux dispositifs médicaux où une mémoire volatile fiable et rapide est essentielle.
Spécifications techniques
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Produits et ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2,2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-TSOP I |
| RoHS |  |
IS62WV5128EALL-55TLI-TR.pdf