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IS62WV5128EBLL-45HLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone IS62WV5128EBLL-45HLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un dispositif de mémoire haute fiabilité de 4 Mbit conçu pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Cette SRAM à interface parallèle dispose d'une organisation mémoire de 512 Ko x 8 et d'un temps d'accès ultrarapide de 45 ns, ce qui la rend idéale pour les applications nécessitant un accès rapide aux données et une faible latence.

Conçue pour les environnements industriels, cette mémoire SRAM fonctionne sur une large plage de tensions (de 2,2 V à 3,6 V) et de manière fiable dans des conditions de températures extrêmes (de -40 °C à 85 °C). Son boîtier CMS 32-TSOP I offre un encombrement réduit pour les circuits imprimés compacts, tout en garantissant des performances électriques robustes.

Spécifications techniques complètes

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 45 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Alimentation flexible : une large plage de fonctionnement de 2,2 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures système.
  • Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C dans des conditions environnementales difficiles.
  • Interface parallèle : accès direct à la mémoire sans protocoles série complexes
  • Boîtier compact pour montage en surface : l'encombrement de 32 TSOP I optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications typiques

Cette mémoire SRAM asynchrone est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, aux contrôleurs industriels, aux équipements de réseau, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux, à l'instrumentation aérospatiale et à toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une architecture d'accès parallèle.

Ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 45 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 2,2 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-TFSOP (0,465", largeur 11,80 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-TSOP I
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY