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IS62WV5128EBLL-45QLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone IS62WV5128EBLL-45QLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute fiabilité de 4 Mbit conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Grâce à son organisation mémoire de 512 Ko x 8 et à son temps d'accès rapide de 45 ns, ce composant offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués nécessitant un accès mémoire parallèle fiable et rapide.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 45 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Large plage de tension : la tension d’alimentation de 2,2 V à 3,6 V offre une grande flexibilité pour diverses conceptions de systèmes.
  • Plage de températures étendue : plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels et automobiles
  • Interface parallèle : une interface simple et éprouvée pour une intégration directe.
  • Boîtier CMS : boîtier SOIC 32 broches optimisé pour l’assemblage automatisé
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale

Applications idéales

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux mémoires tampons, aux mémoires cache, à l'enregistrement de données, aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux et aux équipements de télécommunications où un accès fiable et rapide à la mémoire volatile est essentiel.

Spécifications techniques

Pourquoi choisir ce composant ?

En tant que distributeur agréé, nous assurons une traçabilité complète, une authenticité garantie et un support technique exhaustif. Chaque unité est livrée avec une documentation complète incluant fiches techniques et certificats de conformité. Notre équipe d'ingénieurs est à votre disposition pour vous accompagner dans l'intégration et l'utilisation de nos produits.

Disponible immédiatement en conditionnement sur bande et bobine pour les commandes à grande échelle. Livraison internationale disponible.


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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbit
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 45 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 2,2 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-SOIC (0,445", largeur 11,30 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY