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IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit haute fiabilité

Le circuit intégré IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit haut de gamme conçue pour les systèmes embarqués critiques, l'automatisation industrielle, les infrastructures de télécommunications et les applications aérospatiales. Cette solution de mémoire volatile offre une fiabilité exceptionnelle grâce à son organisation 512 Ko x 8 et son temps d'accès ultrarapide de 45 ns, ce qui la rend idéale pour la mise en mémoire tampon de données à haute vitesse, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : un temps d'accès de 45 ns et un temps de cycle d'écriture de 45 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Alimentation flexible : sa large plage de tension (2,2 V à 3,6 V) assure la compatibilité avec diverses architectures système et conceptions basse consommation.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA), idéal pour les environnements difficiles.
  • Interface parallèle : L’interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs, les FPGA et les processeurs.
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 32-TSOP II (équivalent 32-SOIC, largeur 10,16 mm) optimise l'espace sur le circuit imprimé.
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est parfaitement adaptée pour :

  • Mémoire tampon et cache des données des systèmes embarqués
  • Systèmes de contrôle industriel et automates programmables
  • Équipements de télécommunications et de réseau
  • Dispositifs médicaux nécessitant une mémoire rapide et fiable
  • Systèmes électroniques automobiles et ADAS
  • applications aérospatiales et de défense
  • Instrumentation de test et de mesure

Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?

ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est un leader mondialement reconnu dans le domaine des circuits intégrés de mémoire haute performance, offrant une fiabilité éprouvée depuis plus de trente ans. Ses produits SRAM sont conçus pour répondre aux exigences rigoureuses des applications industrielles, automobiles et critiques, et bénéficient d'une assurance qualité complète et d'une disponibilité produit à long terme.

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Commandez dès aujourd'hui le circuit intégré de mémoire IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR et découvrez la fiabilité et les performances offertes par les circuits intégrés de mémoire ISSI aux systèmes critiques du monde entier.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 45 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 2,2 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-SOIC (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY