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IS62WV5128EBLL-45TLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire IS62WV5128EBLL-45TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 4 Mbit haute fiabilité conçue pour les systèmes embarqués critiques exigeant une mémoire volatile rapide et une intégrité des données exceptionnelle. Ce circuit intégré de mémoire de qualité industrielle présente une architecture 512 Ko x 8 avec une interface parallèle, ce qui le rend idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, de télécommunications et de contrôle industriel.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès ultra-rapide : un temps d'accès de 45 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations urgentes.
  • Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 2,2 V à 3,6 V offre une grande flexibilité pour diverses conceptions de systèmes.
  • Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des environnements difficiles.
  • Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour un transfert de données à haut débit sans surcharge de protocole.
  • Boîtier CMS : le boîtier 32-TFSOP (largeur de 18,40 mm) permet des agencements de circuits imprimés compacts.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré SRAM est conçu pour des applications exigeantes telles que les contrôleurs d'automatisation industrielle, les systèmes avioniques aérospatiaux, les calculateurs automobiles, les équipements de diagnostic médical, l'infrastructure de télécommunications et la mise en mémoire tampon de données à haute fiabilité où un accès mémoire rapide et déterministe est essentiel.

Qualité et fiabilité

Fabriqué par ISSI selon des contrôles de qualité rigoureux, ce composant offre la fiabilité et la constance de performance à long terme requises pour les systèmes embarqués critiques. Sa conformité à la directive RoHS garantit le respect de l'environnement sans compromettre l'excellence technique.


Produits et ressources connexes

Explorez notre gamme complète de circuits intégrés de mémoire pour systèmes embarqués ou consultez notre page d'accueil pour découvrir notre catalogue complet de solutions semi-conducteurs haute fiabilité. Pour des informations techniques et des notes d'application, consultez notre blog technique .

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 45 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 2,2 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-TSOP I
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY