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Présentation du produit

La puce mémoire SRAM asynchrone haute performance IS62WV5128EBLL-45TLI-TR de 4 Mbits, fabriquée par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.), offre une interface parallèle de 512 Ko x 8 et une fiabilité exceptionnelle grâce à un temps d'accès rapide de 45 ns. Elle constitue ainsi le choix idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels et les applications critiques nécessitant un accès instantané aux données sans cycle de rafraîchissement.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès ultra-rapide de 45 ns pour le traitement des données en temps réel et les applications à haut débit
  • Fonctionnement à faible consommation avec une tension d'alimentation de 2,2 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
  • Une large plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) garantit un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles.
  • Boîtier CMS 32-TSOP I pour une conception de circuits imprimés compacte et un assemblage automatisé
  • Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale et la conformité réglementaire
  • Interface parallèle asynchrone pour une intégration simple sans exigences de synchronisation complexes
  • Aucune actualisation requise - véritable RAM statique pour une conception système simplifiée

Applications

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée à une large gamme d'applications exigeantes, notamment :

  • Équipements réseau et routeurs nécessitant une mémoire tampon rapide
  • Infrastructures de télécommunications et stations de base
  • Systèmes électroniques automobiles et ADAS
  • Systèmes aérospatiaux et de défense
  • Automatisation industrielle et automates programmables
  • Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
  • Systèmes d'acquisition de données à haute vitesse

Avantages techniques

L'architecture asynchrone élimine le besoin de synchronisation d'horloge, simplifiant la conception du système et réduisant la consommation d'énergie. L'organisation 512 Ko x 8 offre un accès flexible aux données par octet, tandis que le temps d'accès de 45 ns garantit que votre système peut gérer les exigences de traitement en temps réel les plus strictes. La large plage de tension (2,2 V à 3,6 V) rend cette SRAM compatible avec les systèmes 3,3 V et les tensions inférieures, offrant ainsi une grande flexibilité de conception pour les applications modernes basse consommation.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 45 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 2,2 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-TSOP I
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY