ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416ALL-55BLI-TR

IS62WV6416ALL-55BLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

Le circuit intégré IS62WV6416ALL-55BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité conçue pour les systèmes embarqués critiques et les applications industrielles. Cette solution de mémoire volatile offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès rapide de 55 ns et fonctionne dans une large plage de températures industrielles, de -40 °C à 85 °C.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité mémoire de 1 Mbit : organisée en 64 Ko x 16 pour un stockage de données flexible dans les applications embarquées
• Temps d'accès rapide de 55 ns : garantit une récupération rapide des données pour les opérations urgentes.
• Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,7 V à 2,2 V pour une efficacité énergétique optimale.
• Plage de températures industrielles : Fonctionnement fiable de -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements difficiles
• Boîtier compact 48-TFBGA : conception à montage en surface de 6 x 8 mm peu encombrante, idéale pour les circuits imprimés haute densité.
• Interface parallèle : interface SRAM asynchrone standard pour une intégration facile
• Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Applications idéales

Ce circuit intégré SRAM est parfaitement adapté aux applications aérospatiales, automobiles, médicales, de télécommunications et aux systèmes de contrôle industriels où l'intégrité des données, la vitesse et la fiabilité sont primordiales. Son architecture asynchrone élimine le besoin de synchronisation d'horloge, simplifiant ainsi la conception du système tout en garantissant des performances robustes.

Spécifications techniques

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