ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416BLL-55TI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.38 | Dhs. 7.38 |
| 15+ | Dhs. 7.13 | Dhs. 106.95 |
| 25+ | Dhs. 6.98 | Dhs. 174.50 |
| 50+ | Dhs. 6.59 | Dhs. 329.50 |
| 100+ | Dhs. 5.81 | Dhs. 581.00 |
| N+ | Dhs. 1.16 | Price Inquiry |
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IS62WV6416BLL-55TI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La mémoire SRAM asynchrone IS62WV6416BLL-55TI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute performance de 1 Mbit conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec une organisation mémoire de 64 Ko x 16 et un temps d'accès de 55 ns, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Large plage de tension de fonctionnement : la tension d'alimentation de 2,5 V à 3,6 V offre une grande flexibilité pour diverses conceptions de systèmes.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
- Interface parallèle : L’interface parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
- Boîtier CMS : boîtier 44-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb
Applications idéales
Cette mémoire SRAM asynchrone est idéale pour les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements de réseau, les dispositifs médicaux et tout système embarqué nécessitant un stockage de données rapide et non volatil avec une longue durée de vie.
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Spécifications techniques
Ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 2,5 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |

IS62WV6416BLL-55TI.pdf