Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel Dhs. 5.09
Prix habituel Dhs. 5.36 Prix promotionnel Dhs. 5.09
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 5.09 Dhs. 5.09
15+ Dhs. 4.93 Dhs. 73.95
25+ Dhs. 4.82 Dhs. 120.50
50+ Dhs. 4.56 Dhs. 228.00
100+ Dhs. 4.02 Dhs. 402.00
N+ Dhs. 0.80 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 45 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 2,2 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS62WV6416FBLL-45TLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone IS62WV6416FBLL-45TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute performance de 1 Mbit conçue pour les systèmes embarqués, les applications industrielles et les objets connectés (IoT) nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable. Cette SRAM à interface parallèle dispose d'une architecture 64K x 16 et d'un temps d'accès ultrarapide de 45 ns, ce qui la rend idéale pour la mémoire cache, les applications de mise en mémoire tampon et le traitement de données en temps réel.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 45 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Large plage de tension : le fonctionnement de 2,2 V à 3,6 V offre une grande flexibilité pour diverses conceptions de systèmes.
  • Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C (TA) garantissant un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles
  • Boîtier compact pour montage en surface : le 44-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
  • Interface parallèle : intégration simple et directe avec les microcontrôleurs et les processeurs
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée à l'électronique automobile, aux systèmes de contrôle industriels, aux dispositifs médicaux, aux équipements de télécommunications et aux plateformes informatiques embarquées où un accès mémoire rapide et fiable est essentiel. Sa large plage de tension de fonctionnement et sa résistance aux températures industrielles en font un excellent choix pour les applications critiques.

Spécifications techniques

Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?

Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et de haute qualité, assortis d'un support technique garanti tout au long de leur cycle de vie. Notre vaste gamme de composants mémoire comprend des mémoires SRAM, DRAM, Flash et des solutions de mémoire spécialisées provenant des plus grands fabricants mondiaux.

Restez informé des dernières technologies en matière de semi-conducteurs, des tendances du secteur et des nouveaux produits en visitant notre blog d'actualités et technique , où nous partageons des analyses d'experts et des guides d'application pour vous aider à prendre des décisions éclairées en matière de sélection de composants.