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IS62WVS0648FBLL-20NLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM synchrone haute performance

La mémoire IS62WVS0648FBLL-20NLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM synchrone 512 Kbits haute fiabilité conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant une mémoire volatile rapide à faible consommation. Ce composant semi-conducteur authentique dispose d'une organisation mémoire 64 K x 8 et d'une interface d'E/S SPI Quad avancée, ce qui le rend idéal pour les systèmes de contrôle industriels, l'électronique automobile, les objets connectés et les applications de mise en mémoire tampon de données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité mémoire de 512 Kbits : l’organisation 64 K x 8 offre un stockage de données flexible pour les systèmes embarqués.
  • Performances à haute vitesse : la fréquence d’horloge de 20 MHz garantit un accès et un traitement rapides des données.
  • Interface avancée : E/S quadruples SPI avec prise en charge SDI et DTR pour une communication série efficace
  • Large plage de tension : tension d’alimentation de 2,2 V à 3,6 V pour une compatibilité avec diverses conceptions de systèmes.
  • Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité optimale en environnement difficile
  • Boîtier compact pour montage en surface : 8-SOIC (largeur de 3,90 mm) pour les circuits imprimés à espace restreint
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM synchrone est conçue pour les applications nécessitant un stockage de données temporaire rapide avec une latence minimale :

  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Modules électroniques automobiles et ADAS
  • Dispositifs périphériques IoT et réseaux de capteurs
  • Mise en mémoire tampon des données et mémoire cache
  • Matériel de communication et de réseau
  • Instrumentation médicale
  • Systèmes aérospatiaux et de défense

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Synchrone, SDR
Taille de la mémoire 512 kbits
Organisation de la mémoire 64K x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, SDI, DTR
Fréquence d'horloge 20 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 2,2 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOIC
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY