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IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM synchrone haute performance de 2 Mbit

Le circuit intégré IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM synchrone 2 Mbit haut de gamme conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Ce composant mémoire haute performance dispose d'une architecture 256K x 8 avec une interface d'E/S SPI Quad, offrant un débit de données exceptionnel à une fréquence d'horloge de 45 MHz.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 45 MHz et un temps d'accès de 15 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Interface flexible : la prise en charge des E/S quadruples SPI et SDI permet une intégration polyvalente avec les microcontrôleurs et les FPGA.
  • Fiabilité de qualité industrielle : large plage de températures de fonctionnement (-40 °C à 85 °C) adaptée aux environnements difficiles
  • Conception compacte pour montage en surface : le boîtier SOIC 8 broches (largeur de 3,90 mm) optimise l’espace sur la carte dans les conceptions à espace restreint.
  • Large plage de tension : compatibilité avec les tensions d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour diverses architectures d’alimentation
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Cette mémoire SRAM synchrone est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, aux équipements de réseau, aux dispositifs médicaux et à toute application nécessitant un stockage de données temporaire rapide avec une disponibilité garantie sur une longue durée de vie.

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Spécifications techniques complètes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Synchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 256K x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, SDI
Fréquence d'horloge 45 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 15 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOIC
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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