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25+ Dhs. 12.28 Dhs. 307.00
50+ Dhs. 11.59 Dhs. 579.50
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IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM synchrone haute performance de 4 Mbit

Le circuit intégré IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM synchrone 4 Mbit haut de gamme conçue pour les applications à haute fiabilité dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution mémoire avancée intègre une interface SPI/Quad E/S et offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 20 MHz et un temps d'accès de 25 ns.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 20 MHz et un temps d'accès de 25 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
  • Interface flexible : l’interface SPI – Quad E/S et SDI offre des options de connectivité polyvalentes.
  • Configuration mémoire optimale : organisation 512 Ko x 8 (capacité totale de 4 Mbit), idéale pour les systèmes embarqués et les applications de contrôle industriel.
  • Large plage de tension de fonctionnement : la plage de tension d’alimentation de 2,2 V à 3,6 V prend en charge diverses exigences d’alimentation.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA) pour des conditions environnementales difficiles.
  • Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier SOIC 8 broches (0,154 pouce, largeur 3,90 mm) permet de concevoir des circuits imprimés compacts.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM synchrone est conçue pour les applications critiques nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable :

  • Systèmes aérospatiaux et de défense
  • Électronique automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Équipements de diagnostic et de surveillance médicale
  • Infrastructure de télécommunications
  • Informatique embarquée haute performance
  • Applications de mise en mémoire tampon et de mémoire cache

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Synchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, SDI
Fréquence d'horloge 20 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 25 ns
Tension - Alimentation 2,2 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOIC
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY