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15+ Dhs. 13.23 Dhs. 198.45
25+ Dhs. 12.94 Dhs. 323.50
50+ Dhs. 12.22 Dhs. 611.00
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IS62WVS5128GALL-30NLI-TR - Mémoire SRAM synchrone haute performance de 4 Mbit

La puce IS62WVS5128GALL-30NLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM synchrone 4 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré mémoire dispose d'une architecture 512 Ko x 8 avec interface SPI/Quad E/S, offrant des temps d'accès rapides et une faible consommation d'énergie.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 30 MHz avec un temps d’accès de 23 ns pour une récupération rapide des données.
  • Interface flexible : prise en charge des interfaces SPI et Quad E/S pour une intégration système polyvalente
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 1,65 V à 2,2 V, plage de température de -40 °C à 85 °C
  • Conditionnement compact : boîtier CMS 8 broches SOIC (largeur de 3,90 mm) pour les conceptions à espace restreint
  • Conformité totale : conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale
  • Assistance tout au long du cycle de vie : garantie par l’engagement d’ISSI en matière de disponibilité prolongée des produits

Applications idéales

Idéal pour les systèmes embarqués, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux et l'électronique automobile nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide avec une traçabilité complète.

Spécifications techniques

Documentation et assistance : Fiches techniques complètes, schémas de référence et assistance technique disponibles. Contactez notre équipe d’ingénierie pour obtenir de l’aide à l’intégration et des tarifs dégressifs.

Ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Synchrone
Taille de la mémoire 4 Mbit
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, SDI
Fréquence d'horloge 30 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 23 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2,2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY