ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS5128GBLL-45NLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.96 | Dhs. 12.96 |
| 15+ | Dhs. 12.55 | Dhs. 188.25 |
| 25+ | Dhs. 12.28 | Dhs. 307.00 |
| 50+ | Dhs. 11.59 | Dhs. 579.50 |
| 100+ | Dhs. 10.23 | Dhs. 1,023.00 |
| N+ | Dhs. 2.05 | Price Inquiry |
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IS62WVS5128GBLL-45NLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM synchrone haute performance
Le circuit intégré IS62WVS5128GBLL-45NLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM synchrone 4 Mbit haut de gamme conçue pour les applications à haute fiabilité dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution mémoire avancée est dotée d'une interface d'E/S quadruple SPI avec prise en charge SDI, offrant des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 45 MHz et un temps d'accès rapide de 15 ns.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 45 MHz et un temps d'accès de 15 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
- Organisation flexible de la mémoire : configuration 512 Ko x 8 optimisée pour une gestion efficace des données
- Interface avancée : l’interface SPI Quad E/S avec prise en charge SDI offre des options de connectivité polyvalentes.
- Large plage de températures de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels et automobiles.
- Conception compacte pour montage en surface : le boîtier SOIC 8 broches (0,154 pouce, largeur 3,90 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
- Alimentation stable : fonctionne entre 2,7 V et 3,6 V pour une compatibilité avec divers systèmes.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire SRAM synchrone est conçue pour les applications critiques exigeant un stockage de données volatiles rapide et fiable. Elle est idéale pour les systèmes embarqués, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache, les équipements réseau, les contrôleurs industriels et les applications de calcul haute performance où la vitesse et la fiabilité sont primordiales.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 512K x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, SDI |
| Fréquence d'horloge | 45 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 15 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOIC |
| RoHS |

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